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パワー半導体やパワーモジュールなどのX線検査では、次世代のSiCやGANなどのを含む、半導体チップ（ダイ）とパッケージ基板の接合部分を検査します。
半導体と基板の接合には、シンタリング（焼結）やダイボンディング、ダイアタッチという方法を用いて接合します。
その際に、接合面にボイド（空洞）があると放熱性が悪化し性能や寿命に影響します。
その為、X線を用いて引け巣やボイド、クラックなどの検査が行われます。
パワーモジュールには、DBCやDBA、AMBといった基板が用いられています。
